（原标题：存储芯片板块爆发，半导体设备ETF、科创半导体ETF、科创半导体设备ETF、半导体材料ETF涨超7%）

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A股三大指数今日小幅上涨，沪指盘中一度逼近4100点；截至收盘，沪指涨0.05%报4085点录得14连阳，深证成指涨0.06%，创业板指涨0.31%。全市场成交额2.88万亿元，较前一交易日增量493亿元，近3200股下跌。 盘面上，存储芯片价格持续上涨，存储芯片板块爆发。

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半导体设备ETF广发、科创半导体ETF鹏华、半导体设备ETF易方达、半导体设备ETF基金、半导体设备ETF、科创半导体ETF、科创半导体设备ETF、半导体材料ETF涨超7%；半导体产业ETF、半导体设备ETF涨超6%。

半导体设备ETF聚焦产业链上游，指数中半导体设备含量62.8%，半导体材料含量23.7%，合计权重占比超86.5%，成份股包括北方华创、中微公司、拓荆科技、长川科技、沪硅产业等龙头公司。

科创半导体ETF聚焦科创板的半导体国产替代设备+材料，成份股涵盖中微公司（刻蚀设备）、拓荆科技（薄膜沉积设备）、华海清科（CMP设备）、沪硅产业（300mm硅片）、天岳先进（碳化硅衬底）。

消息面上,据TrendForce研究报告预测，随着服务器需求吸收产品供应，NAND快闪记忆芯片合约价格在3月的季度将上涨33%-38%，传统DRAM合约价格预计将攀升55%-60%，记忆芯片市场今年将有强劲的增长动力。

美光据报加速HBM4芯片扩产，月产能将提升至1.5万片。据CNMO科技，行业消息称，美光计划在2026年将HBM4月产能提升至1万5000片晶圆规模，占其整体HBM总产能（约5万5000片/月）的近30%，显示出其全力押注下一代AI内存市场的战略意图。长期以来，美光在HBM领域因产能规模落后于韩国竞争对手而处于劣势。但这一局面正在改变。美光CEO桑杰・梅赫罗特拉在2025年12月财报会上表示，公司将于2026年第二季度起显著提升HBM4产量，并预计其良率爬坡速度将快于上一代HBM3E。业内分析指出，美光已启动设备投资，正加快产能建设。

国金证券指出，AI强需拉动，26Q1存储芯片价格有望继续大涨。Google、Meta、微软及亚马逊AWS等北美四大云厂（CSP）持续扩大AI基础建设投资，2026年总投资金额有望达到6000亿美元（约合4.2万亿元人民币）历史新高规模。在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR416Gb涨幅高达1800%，DDR516Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。2026年全年全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价，预计2026年DRAM的位元供应量增幅约为15%至20%，而需求增速预计将达到20%至25%左右。NAND位元供应量增幅为13%至18%，需求增速预计则达到18%至23%，2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50%，应用于AI服务器领域的增速更快。预测2026年Q1，存储合约价格预计继续攀升，涨幅将达到30%~40%。DDR5 RDIMM内存价格预计将上涨超过40%，NAND闪存价格预计将出现两位数百分比的涨幅。